6月11日，第五届先进陶瓷在半导体领域应用与产业发展论坛在江苏苏州举行，钢研昊普携相关装备与工艺解决方案参展，并受邀发表专题报告，全面展示了公司在半导体级先进材料领域的研发底蕴与工艺技术实力。
在半导体制造的刻蚀、薄膜沉积等关键制程中，静电吸盘（ESC）、加热器等陶瓷零部件必须满足高绝缘、耐腐蚀、高热稳定性的极限要求。然而，传统的无压烧结工艺极易在陶瓷内部残留微孔隙，这不仅会降低材料的热导率，还极易引发电场畸变导致介电击穿，严重制约了器件的服役寿命。
热等静压（HIP）则是解决上述痛点的关键工艺。 通过在高温和各向同性超高压下的协同作用，HIP能够有效闭合陶瓷内部的残余孔隙，实现材料近乎100%的全致密化，从根本上提升半导体级陶瓷的抗弯强度、介电强度与热导率，保障半导体装备核心零部件的高可靠运行。
图：高纯氧化铝材料HIP前后对比
展会期间，钢研昊普展台吸引了众多半导体设备商、关键零部件制造企业以及科研院所的积极驻足，现场交流氛围热烈。面对客户关心的问题和工艺难点，钢研昊普业务与技术团队凭借深厚的专业素养一一解答，展现了钢研昊普在半导体领域的服务底蕴，拓展了深度合作的空间。
在论坛的主旨报告环节，钢研昊普发表了《热等静压（HIP）在半导体先进陶瓷中的致密化调控与应用》的专项报告。
报告深入阐述了热等静压工艺在半导体级先进陶瓷制备中的关键作用。报告指出，通过HIP工艺的温压协同调控，能有效解决高纯氧化铝静电吸盘（ESC）因微观孔隙导致的介电击穿隐患，显著提升其绝缘耐压极限与服役可靠性；对于对温场均匀性要求极高的氮化铝（AlN）加热器，HIP工艺通过对内部微观结构的优化，大幅提升了其热传导效能与温度均匀性；而在半导体封装用的ZTA陶瓷劈刀领域，致密化处理更赋予了材料卓越的抗疲劳与耐磨损性能，使其服役寿命实现了数量级的跨越式提升。为半导体核心构件的国产化制备提供了清晰、可行的技术路径。
以开放之姿，筑信任之基。此次参展，钢研昊普通过与产业链上下游的高效对接，展现了在先进材料后处理领域的深厚实力。未来，钢研昊普将继续秉承初心，不断深化技术创新与“装备+服务”的双轮驱动，携手半导体及先进陶瓷领域的伙伴，共同筑牢我国高端制造的国产化材料底座！